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Prezzi Ray Ban 2014,29 EUR,i ,resistività che vanno tra il 10

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Questo articolo è focalizzata sull'analisi della risposta elettroacustica di un'onda acustica di superficie (SAW) filtri in nitruro di alluminio (AIN) film sottili su vari tipi Prezzi Ray Ban 2014 di wafer di Si. Film AlN con (0 u0026 nbsp; 0 u0026 nbsp; · u0026 nbsp; 2) l'orientamento sono stati depositati da RF sputtering reattivo di un obiettivo di Al in miscele Ar e N2 su Si (1 u0026 nbsp; 0 u0026 nbsp; 0) e (1 u0026 nbsp; 1 u0026 nbsp; 1) wafer con resistività che vanno tra il 10 e il 2000 Ω u0026 nbsp; cm. La risposta elettroacustica di filtri SAW con lunghezza d'onda acustica Ray Ban Prezzi Bassi di 40 pm è stata analizzata misurando i parametri Sij con un analizzatore di rete. Abbiamo stabilito che la perdita out-of-band è direttamente correlata al substrato resistività Si, che varia da 26 dB per 10 Ω u0026 nbsp; cm a 55 dB per il 2000 Ω u0026 nbsp; cm. La velocità SAW dipende dall'orientamento del Si wafer, essendo di circa 4700 m / s per Si (1 u0026 nbsp; 1 u0026 nbsp; 1) e 5100 m / s per Si (1 u0026 nbsp; 0 u0026 nbsp; 0). Le risposte elettroacustici dei filtri SAW sono stati montati da calcoli sulla base di un semplice modello circuitale che tenga conto degli effetti parassiti, come l'accoppiamento elettromagnetico in volo e la conduzione attraverso il substrato. Questa procedura fornisce i valori precisi del fattore di accoppiamento elettromeccanico k2 anche per dispositivi con caratteristiche scarse. Un buon filtro SAW qualità di nitruro di alluminio su alta resistività Si (1 u0026 nbsp; 0 u0026 nbsp; 0) wafer con k2 più grande di 0,12% sono dimostrati.
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